DESCRIPCION El 1N5819 es un diodo Schottky de potencia conocido por su baja caída de voltaje y alta velocidad de conmutación. Esto lo hace ideal para aplicaciones donde se necesita alta eficiencia energética o respuestas rápidas, como en fuentes conmutadas y circuitos alimentados por batería. Su encapsulado clásico es DO-41. ESPECIFICACIONES Voltaje máximo inverso (VRRM) 40 V Corriente máxima directa (IF) 1 A Corriente de pico (IFSM) 25 A (no repetitivo) Caída de voltaje (VF) 0.45 - 0.60 V a 1 A Corriente de fuga (IR) 1 mA a 40 V Temperatura de operación -65 C a +125 C Velocidad de conmutación Muy rápida (nanosegundos) Características físicas Parámetro Detalle Encapsulado DO-41 Identificación del cátodo Banda en uno de los extremos Usos Comunes del 1N5819 1. Rectificación en fuentes conmutadas (SMPS): Su velocidad y baja caída de voltaje permiten mayor eficiencia. 2. Protección contra inversión de polaridad:Se coloca en serie para evitar daños en equipos electrónicos sensibles. 3. Protección de cargas inductivas (flyback):En motores, bobinas y relés, evita picos de voltaje dañinos. 4. Sistemas solares y cargadores de baterías: Reduce la pérdida de energía entre panel y batería. 5. Diodo “OR” para fuentes redundantes: Permite combinar o seleccionar automáticamente varias fuentes sin que se Retroalimenten. 6. Circuitos de baja tensión: Donde un diodo normal (como 1N4007) generaría demasiada caída de voltaje.